Tranzystor Schottky’ego
Tranzystor Schottky’ego to rodzaj tranzystora bipolarnego, w którym równolegle do złącza baza-kolektor zainstalowana jest dioda Schottky’ego. Celem tego rozwiązania jest zwiększenie szybkości przełączania tranzystora.
W przypadku tranzystora bipolarnego, po przekroczeniu określonego prądu bazy, tranzystor nasyca się. W stanie nasycenia potencjał kolektora jest niższy od potencjału bazy, co skutkuje ograniczoną zależnością prądu kolektora od prądu bazy. Dla tranzystora w stanie nasycenia równanie opisujące zależność prądów przyjmuje formę:
S·IC = β·IB, gdzie S > 1 oznacza współczynnik nasycenia. Zjawisko nasycenia jest niekorzystne, ponieważ wydłuża czas wyłączania tranzystora, co jest szczególnie problematyczne w szybkich układach cyfrowych.
Aby zminimalizować efekt nasycenia, można zastosować diodę Schottky’ego, która zaczyna przewodzić przy niskim napięciu (około 0,3 V). Dzięki temu dioda ta przejmuje prąd bazy, zanim tranzystor osiągnie stan nasycenia, co pozwala na szybsze wyłączanie.
Tranzystory Schottky’ego nie występują jako elementy dyskretne, lecz są realizowane w formie układów scalonych, na przykład w rodzinach TTL – S oraz TTL – LS.
Podsumowanie
- Tranzystor Schottky’ego zwiększa szybkość przełączania tranzystora bipolarnego.
- W stanie nasycenia prąd kolektora nie rośnie proporcjonalnie do prądu bazy.
- Dioda Schottky’ego minimalizuje czas nasycenia, przejmując prąd bazy.
- Tranzystory Schottky’ego są stosowane w układach scalonych, a nie jako elementy dyskretne.
