Dzisiaj jest 15 stycznia 2025 r.
Chcę dodać własny artykuł

Tranzystor polowy złączowy

Tranzystor Polowy Złączowy (JFET)

Tranzystor polowy złączowy, znany jako JFET, to jeden z typów tranzystorów polowych, składający się z półprzewodnika typu n lub p oraz silnie domieszkowanej warstwy przeciwnego typu. Posiada trzy końcówki: dren (D), źródło (S) i bramka (G).

Budowa i Działanie

Tranzystor polaryzuje się tak, aby nośniki większościowe (dziury w tranzystorach typu p, elektrony w tranzystorach typu n) przepływały od źródła do drenu. Złącze bramka-źródło jest polaryzowane zaporowo. Gdy napięcie bramka-źródło (UGS) wynosi zero, prąd dren-źródło osiąga maksymalną wartość, oznaczaną jako IDSS.

W miarę wzrostu napięcia bramka-źródło, w złączu p-n pojawia się obszar ładunku przestrzennego, co prowadzi do zwiększenia rezystancji kanału i ograniczenia prądu dren-źródło. Przy maksymalnej wartości UGS OFF, kanał jest praktycznie zablokowany, a prąd dren-źródło staje się minimalny (1–10 mikroamperów).

Charakterystyka i Wpływ Temperatury

Prąd drenu jest funkcją napięcia bramka-źródło, a jego zmiany są wynikiem efektu polowego. Wartość prądu IDSS rośnie wraz ze wzrostem temperatury, natomiast napięcie UGS OFF maleje. Istnieje jednak punkt pracy tranzystora, który nie zmienia się pod wpływem temperatury, co jest istotną zaletą.

Zakresy Pracy

Tranzystor JFET może działać w trzech głównych zakresach:

  • Liniowy (Triodowy): Prąd drenu liniowo zależy od napięcia dren-źródło.
  • Nasycenia: Prąd drenu zależy głównie od napięcia bramka-źródło.
  • Powielania Lawinowego: Specjalny tryb pracy tranzystora.

Podstawowe Parametry

Do kluczowych parametrów tranzystora JFET należą:

  • Prąd wyłączenia (ID(OFF)) – prąd drenu przy napięciu bramka-źródło przekraczającym UGS OFF.
  • Rezystancja statyczna włączenia.
  • Rezystancja statyczna wyłączenia.
  • Maksymalny prąd drenu.
  • Maksymalny prąd bramki.
  • Maksymalne napięcie dren-źródło.
  • Dopuszczalne straty mocy (zazwyczaj miliwaty).