Leo Esaki
Leo Esaki, urodzony 12 marca 1925 roku w Osace, Japonia, to wybitny japoński fizyk, który zdobył Nagrodę Nobla w dziedzinie fizyki w 1973 roku.
Wykształcenie i kariera
Esaki studiował fizykę na Uniwersytecie Tokijskim, gdzie uzyskał tytuł Bachelor of Science w 1947 roku, a następnie doktorat w 1959 roku. Po ukończeniu studiów pracował w przemyśle, najpierw w Kobe Kogyo, a później w SONY, gdzie w 1956 roku został głównym fizykiem. Jego badania dotyczyły zjawiska tunelowania elektronów oraz modyfikacji zachowania półprzewodników.
W rezultacie jego prac powstała dioda tunelowa, znana również jako dioda Esakiego. W 1976 roku Esaki przeniósł się do Stanów Zjednoczonych, gdzie pracował w laboratoriach IBM w Yorktown.
Nagrody i wyróżnienia
W 1973 roku Esaki, wspólnie z Ivarem Giaeverem i Brianem Davidem Josephsonem, otrzymał Nagrodę Nobla za odkrycie fenomenu tunelowania elektronów. Jego prace miały istotne znaczenie dla rozwoju technologii diod tunelowych.
Osiągnięcia
- 1959 – Nishina Memorial Prize
- 1960 – Nagroda Asahi
- 1961 – Stuart Ballantine Medal
- 1965 – Japan Academy Prize
- 1973 – Nagroda Nobla w dziedzinie fizyki
- 1974 – Order Kultury
- 1991 – IEEE Medal of Honor
Życie po karierze
Mimo długiego pobytu w Stanach Zjednoczonych, Esaki pozostał obywatelem Japonii. W latach 1992–1998 pełnił funkcję prezydenta Uniwersytetu Tsukuba, a od 2006 roku był prezydentem Yokohama College of Pharmacy.